240A 100V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET
1 Kuvaus
N-kanavan tehostustilan tehomosfetit käyttivät edistynyttä splitte gate kaivannon tekniikkaa, tarjoten erinomaisen Rdsonin ja alhaisen porttilatauksen. Joka on RoHS-standardin mukainen.
2 Ominaisuudet
● Alhainen vastus
● Matala portin lataus
● Nopea vaihto
● Alhaiset paluusiirtokapasitanssit
● Suuri lumivyöryvirta
● 100 % yhden pulssin lumivyöryenergiatesti
● 100 % ΔVDS -testi
3 Sovellukset
● Invertterin hallintajärjestelmä
● Sähkötyökalut
● UPS (Uninterruptible Power Supplies)
● Moottorin ohjaus
● Akun hallinta
| VDSS |
RDS(päällä)(TYP) |
ID |
| 100V |
2,8 mΩ |
240A |