MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 240A 100V DHS025N10 TO-220C

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 240 A y 100 V

1 Descripción 

Los mosfets de potencia del modo de mejora del canal N utilizaron un diseño avanzado de tecnología de zanja de puerta dividida, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características 

● Baja resistencia

● Cargo de puerta bajo 

● Cambio rápido 

● Bajas capacitancias de transferencia inversa. 

● Alta corriente de avalancha 

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%

● Prueba 100% ΔVDS 

3 aplicaciones 

● Sistema de gestión de inversores. 

● herramientas eléctricas

● UPS (fuentes de alimentación ininterrumpida) 

● Control de motores 

● Gestión de la batería

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
100V	2,8 mΩ	240A