240A 100V N-Kanalverbesserungsmodus MOSFET DHS025N10 TO-220C

240A 100V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET

1 Beschreibung 

Das N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten das Design des fortschrittlichen Splite Gate-Gattentechnologie-Designs und bot eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 

2 Merkmale 

● Niedrig des Widerstands

● Ladung mit niedriger Gate 

● schnelles Umschalten 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität 

● hoher Lawinenstrom 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest

● 100% ΔVDS -Test 

3 Anwendungen 

● Inverter -Management -System 

● Elektrowerkzeuge

● UPS (uninterpulierbare Stromversorgungen) 

● Motorsteuerung 

● Batteriemanagement