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240 A 100 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS025N10 TO-220C

240 A 100 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET
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240 A 100 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET

1 Beschreibung 


Die Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus nutzten ein fortschrittliches Splite-Gate-Trench-Technologie-Design und sorgten für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 


2 Funktionen 

● Geringer Widerstand

● Niedrige Gate-Ladung 

● Schnelles Umschalten 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten 

● Hoher Lawinenstrom 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest

● 100 % ΔVDS-Test 


3 Anwendungen 

● Wechselrichter-Managementsystem 

● Elektrowerkzeuge

● USV (Unterbrechungsfreie Stromversorgung) 

● Motorsteuerung 

● Batteriemanagement

VDSS RDS(ein)(TYP) AUSWEIS
100V 2,8 mΩ 240A


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