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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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MOSFET di potenza DHS025N10 TO-220C in modalità potenziamento canale N da 240 A 100 V

MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 240 A 100 V
Disponibilità:
Quantità:

MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 240 A 100 V

1 Descrizione 


I mosfet di potenza in modalità di potenziamento a canale N utilizzavano un design avanzato con tecnologia splite gate trench, fornendo un eccellente Rdson e una bassa carica del gate. Che è conforme allo standard RoHS. 


2 Caratteristiche 

● Bassa resistenza

● Carica di gate bassa 

● Commutazione rapida 

● Basse capacità di trasferimento inverso 

● Elevata corrente da valanga 

● Test energetico da valanga a impulso singolo al 100%.

● Test ΔVDS al 100%. 


3 applicazioni 

● Sistema di gestione dell'inverter 

● Utensili elettrici

● UPS (gruppi di continuità) 

● Controllo del motore 

● Gestione della batteria

VDSS RDS(acceso)(TIPO) ID
100 V 2,8 mΩ 240A


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