130A 40V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH025N04D TO-252B

130A 40V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET

1 Kuvaus 

Nämä N-kanavan tehostustilan tehomosfetit käyttivät edistynyttä kaivaustekniikkaa, tarjoten erinomaisen Rdson-latauksen ja alhaisen porttilatauksen. Joka on RoHS-standardin mukainen. 

2 Ominaisuudet 

● Alhainen vastus 

● Matala portin lataus 

● Nopea vaihto

● Alhaiset paluusiirtokapasitanssit 

● 100 % yhden pulssin lumivyöryenergiatesti 

● 100 % ΔVDS-testi 

3 Sovellukset

● Virrankytkentäsovellukset

● Invertterin hallintajärjestelmä 

● Sähkötyökalut

● Autoelektroniikka

VDSS	RDS(päällä)(TYP)	ID
40V	2,5 mΩ	130A