MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 130A 40V DH025N04D TO-252B

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 130 A y 40 V

1 Descripción 

Estos mosfets de potencia en modo de mejora de canal N utilizaron un diseño de tecnología de zanja avanzada, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características 

● Baja resistencia 

● Cargo de puerta bajo 

● Cambio rápido

● Bajas capacitancias de transferencia inversa. 

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

● Prueba 100% ΔVDS 

3 aplicaciones

● Aplicaciones de conmutación de energía

● Sistema de gestión de inversores. 

● herramientas eléctricas

● Electrónica automotriz

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
40V	2,5 mΩ	130A