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130 A 40 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH025N04D TO-252B

Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus nutzten ein fortschrittliches Trench-Technologie-Design und sorgten für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht.
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130 A 40 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET


1 Beschreibung 

Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus nutzten ein fortschrittliches Trench-Technologie-Design und sorgten für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 


2 Funktionen 

● Geringer Widerstand 

● Niedrige Gate-Ladung 

● Schnelles Umschalten

● Geringe Rückübertragungskapazitäten 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test 


3 Anwendungen

● Leistungsschaltanwendungen

● Wechselrichter-Managementsystem 

● Elektrowerkzeuge

● Automobilelektronik


VDSS RDS(ein)(TYP) AUSWEIS
40V 2,5 mΩ 130A


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