130A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH025N04D TO-252B

130A 40V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET

1 Popis 

Tieto výkonové mosfety s režimom vylepšenia N-kanála využívali dizajn pokročilej technológie výkopu, poskytovali vynikajúci Rdson a nízky náboj brány. Čo je v súlade s normou RoHS. 

2 Vlastnosti 

● Nízky odpor 

● Nízky poplatok za bránu 

● Rýchle prepínanie

● Nízke kapacity spätného prenosu 

● 100% test lavínovej energie s jedným impulzom 

● 100 % test ΔVDS 

3 Aplikácie

● Aplikácie na prepínanie napájania

● Systém riadenia meniča 

● Elektrické náradie

● Automobilová elektronika

VDSS	RDS(zapnuté)(TYP)	ID
40 V	2,5 mΩ	130A