140A 150V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET
1 Kuvaus
N-kanavan tehostustilan tehomosfetit käyttivät edistynyttä splitte gate kaivannon tekniikkaa, tarjoten erinomaisen Rdsonin ja alhaisen porttilatauksen. Joka on RoHS-standardin mukainen.
2 Ominaisuudet
● Nopea vaihto
● Alhainen vastus
● Matala portin lataus
● Alhaiset paluusiirtokapasitanssit
● 100 % yhden pulssin lumivyöryenergiatesti
● 100 % ΔVDS-testi
3 Sovellukset
● Moottorin ohjaus ja käyttö
● Akun hallinta
● UPS
| VDSS |
RDS(päällä)(TYP) |
ID |
| 150V |
5,9 mΩ |
140A |