140A 150V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET
1 Açıklama
N-kanal geliştirme modu güç mosfetleri, gelişmiş bölünmüş geçit hendek teknolojisi tasarımını kullandı ve mükemmel Rdson ve düşük geçit şarjı sağladı. RoHS standardına uygundur.
2 Özellikler
● Hızlı geçiş
● Düşük direnç
● Düşük kapı ücreti
● Düşük ters transfer kapasitansları
● %100 tek darbeli çığ enerjisi testi
● %100 ΔVDS testi
3 Uygulama
● Motor kontrolü ve sürücü
● Pil yönetimi
● UPS
| VDSS |
RDS(açık)(TİP) |
İD |
| 150V |
5,9 mΩ |
140A |