MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 140 A y 150 V
1 Descripción
Los mosfets de potencia del modo de mejora del canal N utilizaron un diseño avanzado de tecnología de zanja de puerta dividida, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS.
2 características
● Cambio rápido
● Baja resistencia
● Cargo de puerta bajo
● Bajas capacitancias de transferencia inversa.
● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%
● Prueba 100% ΔVDS
3 aplicaciones
● Control y accionamiento del motor.
● Gestión de la batería
● SAI
| VDSS |
RDS (activado) (TIPO) |
IDENTIFICACIÓN |
| 150V |
5,9 mΩ |
140A |