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140 A 150 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DSG070N15NA TO-220C

Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus verwenden ein fortschrittliches Split-Gate-Trench-Technologie-Design und bieten einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht.
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140 A 150 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET


1 Beschreibung 

Die Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus nutzten ein fortschrittliches Splite-Gate-Trench-Technologie-Design und sorgten für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 


2 Funktionen 

● Schnelles Umschalten 

● Geringer Widerstand 

● Niedrige Gate-Ladung 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test 


3 Anwendungen 

● Motorsteuerung und Antrieb 

● Batteriemanagement

● USV



VDSS RDS(ein)(TYP) AUSWEIS
150V 5,9 mΩ 140A


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