未命名(1)(8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet » MOSFET » 12V-300V N MOS
Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

12V-300V N MOS

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
65A 30V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH033N03R DFN3X3 DH033N03R DFN3X3 30V 65A Laitteen DH033N03R Specification.pdf
N-kanavainen laajennustila Virta MOSFET 80A 60V D80N06 TO-252B 60V 80A Laite 80N06 Specification.pdf
110A 100V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET D100N10/D100N10F/D100N10E/D100N10B/D100N10D
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 180A 100V DSG028N10NA TO-220C DSG028N10NA -220C 100V 180A Laite+DSE026N10NA&DSG028N10NA+Specification+Rev.1.0.pdf
81A 30V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHP90N03 DFN5X6-8L DHP90N03 DFN5*6 30V 81A Donghai_DHP90N03_YAF Datasheet_ V1.0(1).pdf
160A 120V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS044N12E TO-263 DHS044N12E TO-263 120V 160A Donghai_DHS044N12&DHS044N12E_Datasheet_V1.0.pdf
100A 60V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH066N06D TO-252B DH066N06D TO-252B 60V 100A Donghai_DH066N06D_Datasheet_V2.0.pdf
100V/15mΩ/50A N-MOSFET TO-252B DHS180N10LD TO-252B 100V 50A Donghai_DHS180N10LD_Datasheet_V1.0-SOQ.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 145A 60V DH045N06 TO-220C DH045N06 -220C 60V 145A Laite DH045N06 Specification.pdf
70A 82V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH8290 TO-220C DH8290 -220C 82V 70A Laite DH8290 Specification.pdf
160A 120V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS044N12 TO-220C DHS044N12 -220C 120V 160A Laite DHS044N12 Specification.pdf
85V/2,9mΩ/215AN-MOSFET DH025N08 TO-220C DH025N08 -220C 85V 215A Donghai_DH025N08_Datasheet_V1.0.pdf
45A 100V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS160N100D TO-252B DHS160N100D TO-252B 100V 45A Donghai_DHS160N100D_Datasheet_V2.0.pdf
100A 30V N-kanavainen lisätilateho MOSFET 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K 30H10K TO-252B 30V 100A Donghai_30H10_Datasheet_V1.0.pdf
25A 100V N-kanavainen lisätila teho MOSFET 25N10 TO-220C 25N10 -220C 100V 25A Laite 25N10 Specification.pdf
174A 85V N-kanavainen parannustila Virta MOSFET DHS030N88E TO-263 DHS030N88E TO-263 85V 174A Laite DHS030N88 Specification.pdf
96A 40V N-kanavainen lisätila teho MOSFET DH033N04P DFN5X6 DH033N04P DFN5X6 40V 96A Donghai_DH033N04P+_Datasheet_V1.0.pdf
8N65 - 220C 8N65
50A 30V N-kanavan lisäystila Virta MOSFET DHD50N03 TO-252B DHD50N03 TO-252B 30V 50A Donghai_DHB50N03&DHD50N03_Datasheet_V1.0.pdf
100V/12mΩ/60A N-MOSFET DSD150N10L3 TO-252B 100V 60A Donghai_DSD150N10L3&DSB150N10L3_Datasheet_V1.0.pdf

Tuotevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Lähetä
Tekijänoikeus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com