120A 98V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS046N10 TO-220C

120A 98V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET

1 Kuvaus 

Nämä N-kanavan tehostustilan tehomosfetit käyttivät edistynyttä splitte gate -kaivannon tekniikkaa, tarjoten erinomaisen Rdson-latauksen ja alhaisen porttilatauksen. Joka on RoHS-standardin mukainen. 

2 Ominaisuudet 

● Nopea vaihto 

● Alhainen vastus 

● Matala portin lataus 

● Suuri lumivyöryvirta

● Alhaiset paluusiirtokapasitanssit 

● 100 % yhden pulssin lumivyöryenergiatesti

● 100 % ΔVDS-testi 

3 Sovellukset 

● Synkroninen tasasuuntaus SMPS:ssä

● Kova kytkentä ja suurnopeuspiiri

● Sähkötyökalut

● UPS 

● Moottorin ohjaus

VDS	RDS(päällä)tyyppi.	ID
98V	4,6 mΩ	120A