MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 120A 98V DHS046N10 TO-220C

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 120 A y 98 V

1 Descripción 

Estos mosfets de potencia en modo de mejora de canal N utilizaron un diseño avanzado de tecnología de zanja de puerta dividida, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características 

● Cambio rápido 

● Baja resistencia 

● Cargo de puerta bajo 

● Alta corriente de avalancha

● Bajas capacitancias de transferencia inversa. 

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%

● Prueba 100% ΔVDS 

3 aplicaciones 

● Rectificación síncrona en SMPS

● Conmutación dura y circuito de alta velocidad

● herramientas eléctricas

● SAI 

● Control de motores

VDS	RDS(encendido)tipo.	IDENTIFICACIÓN
98V	4,6 mΩ	120A