120A 98V Λειτουργία βελτίωσης καναλιών N Power MOSFET DHS046N10 TO-220C

120A 98V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 Περιγραφή 

Αυτά τα power mosfet λειτουργίας βελτίωσης N καναλιών χρησιμοποιούσαν προηγμένη σχεδίαση τεχνολογίας splite gate trench, παρέχοντας εξαιρετικό Rdson και χαμηλή φόρτιση πύλης. Το οποίο συμφωνεί με το πρότυπο RoHS. 

2 Χαρακτηριστικά 

● Γρήγορη εναλλαγή 

● Χαμηλή αντίσταση 

● Χαμηλή χρέωση πύλης 

● Υψηλό ρεύμα χιονοστιβάδας

● Χαμηλές χωρητικότητες ανάστροφης μεταφοράς 

● Δοκιμή ενέργειας χιονοστιβάδας 100% ενός παλμού

● Δοκιμή ΔVDS 100%. 

3 Εφαρμογές 

● Σύγχρονη διόρθωση σε SMPS

● Κύκλωμα σκληρής μεταγωγής και υψηλής ταχύτητας

● Ηλεκτρικά εργαλεία

● UPS 

● Έλεγχος κινητήρα

VDS	RDS(on)typ.	ταυτότητα
98V	4,6 mΩ	120Α