120A 98V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DHS046N10 TO-220C

Výkonový MOSFET 120A 98V N-channel Enhancement Mode

1 Popis 

Tyto výkonové mosfety v režimu N-kanálového vylepšení využívaly pokročilý design technologie výkopu splite gate, který poskytoval vynikající Rdson a nízký náboj hradla. Což odpovídá standardu RoHS. 

2 Vlastnosti 

● Rychlé přepínání 

● Nízký odpor 

● Nízký poplatek za bránu 

● Vysoký lavinový proud

● Nízké zpětné přenosové kapacity 

● 100% jednopulzní lavinový energetický test

● 100% test ΔVDS 

3 Aplikace 

● Synchronní usměrnění v SMPS

● Pevné spínání a vysokorychlostní obvod

● Elektrické nářadí

● UPS 

● Ovládání motoru

VDS	RDS(on)typ.	ID
98V	4,6 mΩ	120A