MOSFET Daya Mode Peningkatan N-channel 120A 98V
1 Deskripsi
MOSFET daya mode peningkatan saluran-N ini menggunakan desain teknologi parit gerbang terpisah yang canggih, memberikan Rdson yang sangat baik dan muatan gerbang yang rendah. Yang sesuai dengan standar RoHS.
2 Fitur
● Peralihan cepat
● Resistensinya rendah
● Biaya gerbang rendah
● Arus longsoran tinggi
● Kapasitansi transfer balik yang rendah
● 100% uji energi longsoran pulsa tunggal
● Tes ΔVDS 100%.
3 Aplikasi
● Perbaikan sinkron di SMPS
● Peralihan sulit dan sirkuit kecepatan tinggi
● Perkakas listrik
● UPS
● Kontrol motorik
| VDS |
RDS(aktif) ketik. |
PENGENAL |
| 98V |
4,6mΩ |
120A |