120A 98V N-kanal Enhancement Mode Power MOSFET DHS046N10 TO-220C

120A 98V N-kanal Enhancement Mode Power MOSFET

1 Beskrivelse 

Disse N-kanal-forbedringstilstande power-mosfets brugte avanceret split-gate trench-teknologi design, gav fremragende Rdson og lav gate-opladning. Hvilket er i overensstemmelse med RoHS-standarden. 

2 funktioner 

● Hurtigt skifte 

● Lav modstand 

● Lav portladning 

● Høj lavinestrøm

● Lave omvendte overførselskapacitanser 

● 100 % enkeltpuls lavineenergitest

● 100 % ΔVDS-test 

3 Ansøgninger 

● Synkron ensretning i SMPS

● Hard switching og højhastighedskredsløb

● Elværktøj

● UPS 

● Motorstyring

VDS	RDS(on)type.	ID
98V	4,6 mΩ	120A