MOSFET de potência do modo de aprimoramento de canal N 120A 98V
1 Descrição
Esses mosfets de potência no modo de aprimoramento de canal N usaram design avançado de tecnologia de trincheira splite gate, proporcionando excelente Rdson e baixa carga de portão. O que está de acordo com o padrão RoHS.
2 recursos
● Troca rápida
● Baixa resistência
● Taxa de portão baixa
● Alta corrente de avalanche
● Baixas capacitâncias de transferência reversa
● Teste de energia de avalanche de pulso único de 100%
● Teste ΔVDS 100%
3 aplicações
● Retificação síncrona em SMPS
● Comutação difícil e circuito de alta velocidade
● Ferramentas elétricas
● UPS
● Controle do motor
| VDS |
Tipo RDS(ligado). |
EU IA |
| 98 V |
4,6mΩ |
120A |