120A 98V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHS046N10 TO-220C

120A 98V N-kanals Enhancement Mode Power MOSFET

1 Beskrivning 

Dessa kraftmofetter i N-kanals förbättringsläge använde avancerad design med splite gate trench-teknologi, vilket gav utmärkt Rdson och låg grindladdning. Vilket överensstämmer med RoHS-standarden. 

2 funktioner 

● Snabb växling 

● Lågt motstånd 

● Låg grindladdning 

● Hög lavinström

● Låga omvända överföringskapacitanser 

● 100 % enkelpuls lavinenergitest

● 100 % ΔVDS-test 

3 Applikationer 

● Synkron likriktning i SMPS

● Hård omkoppling och höghastighetskrets

● Elverktyg

● UPS 

● Motorstyrning

VDS	RDS(on)typ.	ID
98V	4,6 mΩ	120A