120A 98V N-channel မြှင့်တင်မုဒ် ပါဝါ MOSFET DHS046N10 TO-220C

120A 98V N-channel Enhancement Mode ပါဝါ MOSFET

1 ဖော်ပြချက် 

ဤ N-channel မြှင့်တင်မှုမုဒ်ပါဝါ mosfets များသည် အလွန်ကောင်းမွန်သော Rdson နှင့် low gate charge ကိုပေးစွမ်းသော အဆင့်မြင့် splite gate trench နည်းပညာကို အသုံးပြုထားသည်။ RoHS စံနှုန်းနဲ့ ကိုက်ညီပါတယ်။ 

အင်္ဂါရပ် ၂ ခု 

● အမြန်ပြောင်းခြင်း။ 

● ခုခံမှုနည်းသည်။ 

● နိမ့်သောဂိတ်တာဝန်ခံ 

● မြင့်မားသောနှင်းလျှောစီးမှု

● နိမ့်သောပြောင်းပြန်လွှဲပြောင်းစွမ်းရည် 

● 100% single pulse avalanche စွမ်းအင်စမ်းသပ်မှု

● 100% ΔVDS စမ်းသပ်မှု 

3 လျှောက်လွှာများ 

● SMPS တွင် ထပ်တူကျအောင် ပြုပြင်ခြင်း။

● Hard switching နှင့် high speed circuit များ

● ပါဝါကိရိယာများ

● UPS 

● မော်တာထိန်းချုပ်မှု

VDS	RDS(on) အမျိုးအစား။	အမှတ်သညာ
98V	4.6mΩ	120A