未命名(1)(8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet tässä: Kotiin » Tuotteet » MOSFET » 12V-300V N MOS » 105A 40V N-kanavainen lisälaite Virta MOSFET DH025N04P DFN5X6

lastaus

Jaa:
Facebookin jakamispainike
Twitterin jakamispainike
linjanjakopainike
wechatin jakamispainike
linkedinin jakamispainike
pinterestin jakamispainike
whatsapp jakamispainike
jaa tämä jakamispainike

105A 40V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET DH025N04P DFN5X6

105A 40V N-kanavainen Enhancement Mode Power MOSFET
Saatavuus:
Määrä:
Tiedustella Lisää koriin

130A 40V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET


1 Kuvaus 

Nämä N-kanavan tehostustilan tehomosfetit käyttivät edistynyttä kaivaustekniikkaa, tarjoten erinomaisen Rdsonin ja alhaisen porttilatauksen. Joka on RoHS-standardin mukainen.


2 Ominaisuudet 

● Alhainen vastus 

● Matala portin lataus 

● Nopea vaihto 

● Alhaiset paluusiirtokapasitanssit

● 100 % yhden pulssin lumivyöryenergiatesti 

● 100 % ΔVDS-testi 


3 Sovellukset

● Virrankytkentäsovellukset 

● Invertterin hallintajärjestelmä

● Sähkötyökalut 

● Autoelektroniikka


VDSS RDS(päällä)(TYP) ID
40V 2,8 mΩ 130A


Edellinen: 
Seuraavaksi: 
105A 40V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Lähetä
Tekijänoikeus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com