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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
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105A 40V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET DH025N04P DFN5X6

105A 40V N-Kanalverbesserungsmodus MOSFET-
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130A 40V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET


1 Beschreibung 

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Gräbertechnologiedesign und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard.


2 Merkmale 

● Niedrig des Widerstands 

● Ladung mit niedriger Gate 

● schnelles Umschalten 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test 


3 Anwendungen

● Stromschaltanwendungen 

● Inverter -Management -System

● Elektrische Werkzeuge 

● Automobilelektronik


VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS
40V 2,8 mΩ 130a


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