Kullanılabilirliği: | |
---|---|
Miktar: | |
DH025N04P
WXDH
DH025N04P
DFN5*6-8
40V
130a
130A 40V N Kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET
1 Açıklama
Bu n-kanal geliştirme modu güç mosfets, gelişmiş hendek teknolojisi tasarımı kullandı, mükemmel RDSON ve düşük kapı şarjı sağladı. ROHS standardı ile uyumludur.
2 Özellik
● Direnç düşük
● Düşük kapı şarjı
● Hızlı anahtarlama
● Düşük ters transfer kapasitansları
●% 100 tek nabız çığ enerji testi
●% 100 ΔVDS testi
3 Uygulama
● Güç değiştirme uygulamaları
● İnvertör yönetim sistemi
● Elektrik aletleri
● Otomotiv elektroniği
VDSS | RDS (ON) (tip) | İD |
40V | 2.8mΩ | 130a |
130A 40V N Kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET
1 Açıklama
Bu n-kanal geliştirme modu güç mosfets, gelişmiş hendek teknolojisi tasarımı kullandı, mükemmel RDSON ve düşük kapı şarjı sağladı. ROHS standardı ile uyumludur.
2 Özellik
● Direnç düşük
● Düşük kapı şarjı
● Hızlı anahtarlama
● Düşük ters transfer kapasitansları
●% 100 tek nabız çığ enerji testi
●% 100 ΔVDS testi
3 Uygulama
● Güç değiştirme uygulamaları
● İnvertör yönetim sistemi
● Elektrik aletleri
● Otomotiv elektroniği
VDSS | RDS (ON) (tip) | İD |
40V | 2.8mΩ | 130a |