brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty » MOSFET » 12V-300V N MOS
Model:
Balíček:
V:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ RADY:

12V-300V N MOS

Obrázok Model Balenie V A Technický list Podrobnosti Dopyt Pridať do košíka
80A 75V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET D7509 TO-220C D7509 TO-220C 75V 80A Špecifikácia zariadenia D7509.pdf
12A 100V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH1K1N10D TO-252B DH1K1N10D TO-252B 100 V 12A Špecifikácia zariadenia DH1K1N10.pdf
120A 80V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DSG047N08N3/DSE047N08N3 TO-220C &TO-263 DSG047N08N3 TO-220C 80 V 120A Donghai_DSG047N08N3&DSE047N08N3_Datasheet_V1.0.pdf
300A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS010N04U MÝTANÝ BALÍK DHS010N04U TOLL 40 V 300A Donghai_DHS010N04U_Datasheet_V1.0.pdf
210A 60V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET N6005/FN6005/EN6005 N6005 TO-220C 60 V 180A Špecifikácia zariadenia N6005B40.pdf
N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET 100A 30V DHD100N03 TO-252B DHD100N03 TO-252B 30V 100A Zariadenie DH100N03 B13 Špecifikácia.pdf
60A 68V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DH60N06/DHF60N06/ DHE60N06/DHB60N06/DHD60N06 DH60N06 TO-220C 60 V 60A Zariadenie DH60N06 Špecifikácia+.pdf
110A 60V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH066N06E TO-263 DH066N06E TO-263 60 V 110A Zariadenie+DH066N06+Špecifikácia+Rev.2.0.pdf
110A 85V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS055N85 TO-220C DHS055N85 TO-220C 85V 110A Špecifikácia zariadenia DHS055N85.pdf
100V/2mΩ/281A N-MOSFET MÝTA DSU023N10N3 TOLL 100 V 281A Donghai_DSU023N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
180A 85V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS020N88 TO-220C DHS020N88 TO-220C 85V 180A Donghai_DHS020N88&DHS020N88E&DHS020N88I_Datasheet_V2.0.pdf
180A 100V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DSE026N10NA TO-263 DSE026N10NA TO-263 100 V 180A Zariadenie+DSE026N10NA&DSG028N10NA+Špecifikácia+Rev.1.0.pdf
50A 200V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET F50N20 F50N20 TO-220F 200V 50A Špecifikácia zariadenia F50N20(1).pdf
80A 100V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS065N10P DFN5X6 DHS065N10P DFN5X6 100 V 80A Špecifikácia zariadenia DHS065N10P(1).pdf
96A 30V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DH030N03P DFN5X6 DH030N03P DFN5x6-8L 30V 96A Špecifikácia zariadenia DH030N03P.pdf
130A 85V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DSP038N08NA DFN5X6 DSP038N08NA DFN5X6 85V 130A Donghai_DSP038N08NA_Datasheet_V1.0.pdf
300A 100V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DSU021N10NA MOTÝ BALÍK DSU021N10NA TOLL 100 V 300A Zariadenie+DSU021N10NA+Špecifikácia+Rev.1.0.pdf
60A 100V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH0159 TO-220C DH0159 TO-220C 100 V 59A Špecifikácia zariadenia DH0159B76(1).pdf
33A 60V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH240N06LD TO-252B DH240N06LD TO-252B 60 V 33A Špecifikácia zariadenia DH240N06L Rev.2.0.pdf
65A 100V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DHS130N10/DHS130N10F/DHS130N10E/DHS130N10B/DHS130N10D

Video o produkte

  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúcu
    registráciu na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty