brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty » MOSFET » 12V-300V N MOS » 130A 85V N-channel režim vylepšenia napájania MOSFET DSP038N08NA DFN5X6

načítavanie

Zdieľať s:
tlačidlo zdieľania na facebooku
tlačidlo zdieľania na Twitteri
tlačidlo zdieľania linky
tlačidlo zdieľania wechat
prepojené tlačidlo zdieľania
tlačidlo zdieľania na pintereste
tlačidlo zdieľania whatsapp
zdieľať toto tlačidlo zdieľania

130A 85V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DSP038N08NA DFN5X6

Tieto výkonové mosfety s režimom vylepšenia N-kanálov využívali pokročilý dizajn technológie delenej brány, ktorý poskytoval vynikajúci Rdson a nízky náboj brány. Čo je v súlade s normou RoHS.
Dostupnosť:
Množstvo:

130A 85V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET


1 Popis

Tieto výkonové mosfety s režimom vylepšenia N-kanálov využívali pokročilý dizajn technológie delenej brány, ktorý poskytoval vynikajúci Rdson a nízky náboj brány. Čo je v súlade s normou RoHS. 


2 Vlastnosti 

● Rýchle prepínanie

● Nízky odpor 

● Nízky poplatok za bránu 

● Vysoký lavínový prúd 

● Nízke kapacity spätného prenosu

● 100% test lavínovej energie s jedným impulzom

● 100 % test ΔVDS 


3 Aplikácie 

● Synchrónna náprava v SMPS 

● Tvrdé spínanie a vysokorýchlostný obvod 

● Elektrické náradie

● UPS 

● Ovládanie motora

VDSS RDS(zapnuté)(TYP) ID
85V 3,2 mΩ 130A


Predchádzajúce: 
Ďalej: 
  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúcu
    registráciu na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty