未命名 (1) (8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Výrobky » Mosfet » 12v-300 V n MOS » 130a 85V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET DSP038N08NA DFN5X6

zaťaženie

Zdieľať na:
Tlačidlo zdieľania Facebooku
Tlačidlo zdieľania Twitteru
tlačidlo zdieľania riadkov
Tlačidlo zdieľania WeChat
tlačidlo zdieľania linkedIn
tlačidlo zdieľania Pinterest
Tlačidlo zdieľania WhatsApp
Tlačidlo zdieľania zdieľania zdieľania

130A 85V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET DSP038N08NA DFN5X6

Tieto n-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFETS používali pokročilý dizajn technológie Trench Trench Technology, poskytovali vynikajúci poplatok RDSON a nízky brán. Čo je v súlade so štandardom ROHS.
Dostupnosť:
množstvo:
Pýtať sa Pridať do koša

130a 85V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET


1 popis

Tieto n-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFETS používali pokročilý dizajn technológie Trench Trench Technology, poskytovali vynikajúci poplatok RDSON a nízky brán. Čo je v súlade so štandardom ROHS. 


2 funkcie 

● Rýchle prepínanie

● Nízky odpor 

● Nízka brána 

● Vysoký lavínový prúd 

● Nízke kapacity prenosu spätného prenosu

● 100% Energia Energy Energy Energy Test

● Test 100% ΔVDS 


3 aplikácie 

● Synchrónna rektifikácia v SMP 

● Tvrdé prepínanie a vysokorýchlostný obvod 

● Elektrické náradie

● UPS 

● Ovládanie motora

VDSS RDS (on) (typ) Id
85V 3,2 mΩ 130A


Predchádzajúce: 
Ďalej: 
Mosfet
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prihláste sa do nášho bulletinu
  • Pripravte sa na budúcnosť
    Prihláste sa do nášho bulletinu, aby ste získali aktualizácie priamo do svojej doručenej pošty
    Odovzdať
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology By Leadong.com