未命名 (1) (8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Výrobky » Mosfet » 12v-300 V n MOS » 60A 100V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET DH0159 TO-220C

zaťaženie

Zdieľať na:
Tlačidlo zdieľania Facebooku
Tlačidlo zdieľania Twitteru
tlačidlo zdieľania riadkov
Tlačidlo zdieľania WeChat
tlačidlo zdieľania linkedIn
Tlačidlo zdieľania Pinterest
Tlačidlo zdieľania WhatsApp
tlačidlo zdieľania zdieľania zdieľania

60A 100V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET DH0159 TO-220C

60A 100V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET
dostupnosť:
Množstvo:
Pýtať sa Pridať do koša

60A 100V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET


1 popis 

Tieto n-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFETS používali pokročilý dizajn technológie priekopy, poskytli vynikajúci poplatok RDSON a Low Gate. Čo je v súlade so štandardom ROHS. 


2 funkcie 

● Nízky odpor

● Nízka brána 

● Rýchle prepínanie 

● Nízke kapacity prenosu spätného prenosu

● 100% Energia Energy Energy Energy Test 

● Test 100% ΔVDS


3 aplikácie

● Aplikácie prepínania napájania

● Prevodníci DC-DC

● Ovládanie úplného mosta


VDSS RDS (on) (typ) Id
100 V 14,5 mΩ 60A


Predchádzajúce: 
Ďalej: 
60A 100V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prihláste sa do nášho bulletinu
  • Pripravte sa na budúcnosť
    Prihláste sa do nášho bulletinu, aby ste získali aktualizácie priamo do svojej doručenej pošty
    Odovzdať
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology By Leadong.com