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60 A 100 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH0159 TO-220C

60 A 100 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET
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60 A 100 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET


1 Beschreibung 

Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus nutzten ein fortschrittliches Trench-Technologie-Design und sorgten für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 


2 Funktionen 

● Geringer Widerstand

● Niedrige Gate-Ladung 

● Schnelles Umschalten 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test


3 Anwendungen

● Leistungsschaltanwendungen

● DC-DC-Wandler

● Vollständige Brückenkontrolle


VDSS RDS(ein)(TYP) AUSWEIS
100V 14,5 mΩ 60A


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