brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » MOSFET » 12V-300V N MOS » 60A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH0159 TO-220C

načítání

Sdílet s:
tlačítko sdílení na facebooku
tlačítko sdílení na Twitteru
tlačítko sdílení linky
tlačítko sdílení wechat
tlačítko sdílení linkedin
tlačítko sdílení na pinterestu
tlačítko sdílení whatsapp
sdílet toto tlačítko sdílení

60A 100V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH0159 TO-220C

60A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
Dostupnost:
Množství:

Výkonový MOSFET 60A 100V N-channel Enhancement Mode


1 Popis 

Tyto výkonové mosfety v režimu N-kanálového vylepšení využívaly pokročilý design technologie výkopu, poskytovaly vynikající Rdson a nízký náboj brány. Což odpovídá standardu RoHS. 


2 Vlastnosti 

● Nízký odpor

● Nízký poplatek za bránu 

● Rychlé přepínání 

● Nízké zpětné přenosové kapacity

● 100% jednopulzní lavinový energetický test 

● 100% test ΔVDS


3 Aplikace

● Aplikace pro přepínání napájení

● DC-DC měniče

● Úplné ovládání mostu


VDSS RDS(zapnuto)(TYP) ID
100V 14,5 mΩ 60A


Předchozí: 
Další: 
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky