brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » MOSFET » 12V-300V N MOS
Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

12 V-300 V N-MOS

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
180A 85V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DSD040N08N3A TO-252B DSD040N08N3A TO-252B 85 V 180A Urządzenie+DSD040N08N3A+Specyfikacja+Rev.1.0.pdf
105A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH025N04P DFN5X6 DH025N04P DFN5*6-8 40 V 130A Specyfikacja urządzenia DH025N04.pdf
60A 68V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH50N06 TO-220C DH50N06 TO-220C 68 V 60A Specyfikacja urządzenia DH50N06FZC.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 120A 100V DH10H035R TO-220C DH10H035R TO-220C 100 V 120A Specyfikacja urządzenia DH10H035R.pdf
50A 120 V tryb wzmocnienia kanału N moc MOSFET DH150N12 TO-220C DH150N12 TO-220C 120 V 50A Specyfikacja urządzenia DH150N12.pdf
170A 100 V tryb wzmocnienia kanału N MOSFET mocy DSG030N10N3 TO-220C DSG030N10N3 TO-220C 100 V 170A Donghai_DSG030N10N3&DSE028N10N3_Arkusz danych_V1.0.pdf
Epitaksjalny tranzystor krzemowy NPN 2SD882 TO-126 2SD882 TO-126 40 V 3A 英文版D882技术规格书.pdf
140A 150V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DSG070N15NA TO-220C DSG070N15NA TO-220C 150 V 140A Donghai_ DSG070N15NA_DataSheet_V1.0.pdf
25A 100V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS250N10D TO-252B DHS250N10D TO-252B 100 V 25A Urządzenie+DHS250N10D+Specyfikacja+Rev1.0.pdf
90A 80V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHD80N08 TO-252B DHD80N08 TO-252B 80 V 90A Specyfikacja urządzenia DHD80N08.pdf
63A 60V N-kanałowy MOSFET mocy w trybie wzmocnienia DH132N06/DH132N06F/DH132N06E/DH132N06B/DH132N06D
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 120A 85V DHS045N88 TO-220C DHS045N88 TO-220C 85 V 120A Specyfikacja urządzenia DHS045N88-Rev.1.0.pdf
120A 100V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH10H037R TO-220C DH10H037R TO-220C 100 V 120A Specyfikacja urządzenia DH10H037R.pdf
120A 98V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS046N10 TO-220C DHS046N10 TO-220C 98 V 120A Specyfikacja urządzenia DHS046N10.pdf
100A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS008N04P DFN5x6 DHS008N04P DFN5X6 40 V 100A Donghai_DHS008N04P_Datasheet_V1.0.pdf
130A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH025N04D TO-252B DH025N04D TO-252B 40 V 130A Specyfikacja urządzenia DH025N04.pdf
180A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS025N06E TO-263 DHS025N06E TO-263 60 V 180A Donghai_ DHS025N06&DHS025N06E_DataSheet_V2.0.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 180A 80V DH8004 TO-220C DH8004 TO-220C 80 V 180A Specyfikacja urządzenia DH8004 (2).pdf
61A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH16N06 TO-220C DH16N06 TO-220C 60 V 61A Specyfikacja urządzenia DH16N06.pdf
240A 100 V tryb wzmocnienia kanału N MOSFET mocy DHS025N10 TO-220C DHS025N10 TO-220C 100 V 240A Specyfikacja urządzenia DHS025N10.pdf

Film o produkcie

  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą