未命名 (1) (8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » Mosfet » 12V-300V N MOS
Model:
Pakiet:
V:
A:
Wybrane linie produktów:

12V-300V N MOS

obrazu modelu Pakiet V A arkusza szczegółowe informacje na temat danych Dodaj do kosza
61A 60 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET MOSFET DH16N06 TO-220C DH16N06 To-220C 60 V. 61a Urządzenie DH16N06 Specyfikacja.pdf
80A 68V Tryb wzmacniający N-Kannel Moc MOSFET DH072N07 TO-220C DH072N07 To-220C 68v 80a Urządzenie DH072N07 Specyfikacja.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET 68A 100V DH140N10D TO-252B 100 V. 68a DH140N10B i DH140N10D_DATASHEET_V1.0.PDF
200A 30 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET DH020N03D TO-252B DH020N03D TO-252B 30 V. 200a Device DH020N03 (B39) Specyfikacja. PDF
120A 98V Tryb wzmacniający N-Kannel Moc MOSFET DHS046N10 TO-220C DHS046N10 To-220C 98v 120a Urządzenie DHS046N10 Specyfikacja.pdf
120A 80 V Tryb wzmacniający kanał N MOSFET DSG053N08N3 DSG053N08N3 To-220C 80v 120a DSG053N08N3 i DSE051N08N3_DATASHEET_V1.0.PDF
Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET 100A 30V DHD100N03 TO-252B DHD100N03 TO-252B 30 V. 100a Urządzenie DH100N03 B13 Specyfikacja.pdf
180A 80V NEC CANLECTEMENT MOC MOSFET DH029N08 TO-220C DH029N08 To-220C 80v 180a Urządzenie DH029N08 Specyfikacja.pdf
110A 85 V Tryb wzmacniający N-Kannel Moc MOSFET DHS055N85 TO-220C DHS055N85 To-220C 85 V. 110a Urządzenie DHS055N85 Specyfikacja. PDF
100 V/2MΩ/281A N-MOSFET TOLL DSU023N10N3 MYTO 100 V. 281a DSU023N10N3_DATASHEET_V1.0.PDF
120A 100 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET DH10H037R TO-220C DH10H037R To-220C 100 V. 120a Urządzenie DH10H037R Specyfikacja. PDF
25A 100 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET DHS250N10D TO-252B DHS250N10D TO-252B 100 V. 25a Urządzenie+DHS250N10D+specyfikacja+Rev1.0.pdf
80A 75 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET MOSFET D7509 TO-220C D7509 To-220C 75 V. 80a Urządzenie D7509 Specyfikacja.pdf
50A 120 V Tryb wzmacniający kanał N MOSFET DH150N12 TO-220C DH150N12 To-220C 120 V. 50a Urządzenie DH150N12 Specyfikacja PDF
145A 30 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET DH028N03D TO-252B DH028N03D TO-252B 30 V. 145a Urządzenie DH028N03 Specyfikacja.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET 120A 98V DHS045N98 TO-220C DHS045N98 To-220C 98v 120a Urządzenie DHS045N98 Specyfikacja-Rev.1.0.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET 180A 80V DH8004 TO-220C DH8004 To-220C 80v 180a Device DH8004 Specyfikacja (2) .pdf
240A 100 V Tryb wzmacniający kanał N MOSFET DHS025N10 TO-220C DHS025N10 To-220C 100 V. 240a Urządzenie DHS025N10 Specyfikacja.pdf
30A 60V NEC Cannel Elfancement Moc MOSFET DHZ24 TO-220C DHZ24 To-220C 60 V. 30a Urządzenie DHZ24B31 Specyfikacja.pdf
63A 60V N-Kanannel Tryb wzmocnienia MOSFET MOSFET DH132N06/DH132N06F/DH132N06E/DH132N06B/DH132N06D

Wideo produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zarejestruj się w naszym biuletynie
  • Przygotuj się na przyszłą
    rejestrację na nasz biuletyn, aby uzyskać aktualizacje bezpośrednio do skrzynki odbiorczej
    Składać
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com