brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » Mosfet » 12V-300V N MOS 252B 19a 80V N-Kananned Enhancement Tryb Power MOSFET DH300N08D TO-

załadunek

Udostępnij do:
Przycisk udostępniania na Facebooku
Przycisk udostępniania na Twitterze
Przycisk udostępniania linii
Przycisk udostępniania WeChat
Przycisk udostępniania LinkedIn
Przycisk udostępniania Pinterest
przycisk udostępniania WhatsApp
przycisk udostępniania shaRethis

19a 80 V Tryb wzmocnienia kanałów N MOSFET DH300N08D TO-252B

19a 80 V Tryb wzmacniający N-Kanał Noc Moc MOSFET
Dostępność:
Ilość:

19a 80 V Tryb wzmacniający kanał N MOSFET


1 Opis 

Te MOSFET MOSFETS Ulepszenia N-kanałów wykorzystywał zaawansowany projekt technologii wykopów, zapewniły doskonały ładunek RDSON i niski ładunek bramki. Co jest zgodne ze standardem Rohs. 


2 funkcje 

● Niskie opór 

● Niski ładunek bramki 

● Szybkie przełączanie 

● Niskie pojemności transferu odwrotnego

● 100% testu energii lawinowej pojedynczej pulsu

● Test 100% ΔVDS 


3 aplikacje 

● Aplikacje przełączające zasilanie 

● System zarządzania falownikiem

● Narzędzia elektryczne

● Elektronika samochodowa

VDSS RDS (ON) (Typ) ID
80v 30mΩ 19a


Poprzedni: 
Następny: 
  • Zarejestruj się w naszym biuletynie
  • Przygotuj się na przyszłą
    rejestrację na nasz biuletyn, aby uzyskać aktualizacje bezpośrednio do skrzynki odbiorczej