brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Výrobky » Mosfet » 12v-300 V n MOS » 19A 80V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET DH300N08D TO-252B

zaťaženie

Zdieľať na:
Tlačidlo zdieľania Facebooku
Tlačidlo zdieľania Twitteru
tlačidlo zdieľania riadkov
Tlačidlo zdieľania WeChat
tlačidlo zdieľania linkedIn
Tlačidlo zdieľania Pinterest
Tlačidlo zdieľania WhatsApp
Tlačidlo zdieľania zdieľania zdieľania

19A 80V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET DH300N08D TO-252B

19A 80V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET
dostupnosť:
Množstvo:

19A 80V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET


1 popis 

Tieto n-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFETS používali pokročilý dizajn technológie priekopy, poskytli vynikajúci poplatok RDSON a Low Gate. Čo je v súlade so štandardom ROHS. 


2 funkcie 

● Nízky odpor 

● Nízka brána 

● Rýchle prepínanie 

● Nízke kapacity prenosu spätného prenosu

● 100% Energia Energy Energy Energy Test

● Test 100% ΔVDS 


3 aplikácie 

● Aplikácie prepínania napájania 

● Systém správy invertorov

● Elektrické náradie

● Automobilová elektronika

VDSS RDS (on) (typ) Id
80V 30 mΩ 19A


Predchádzajúce: 
Ďalej: 
  • Prihláste sa do nášho bulletinu
  • Pripravte sa na budúcnosť
    Prihláste sa do nášho bulletinu, aby ste získali aktualizácie priamo do svojej doručenej pošty