未命名 (1) (8) (1)
ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Вы здесь: Дом »» Продукция » МОСФЕТ » 12V-300V N MOS
Модель:
Упаковка:
V:
A:
Выбранные линейки продуктов:

12 В-300В N MOS

изображений модели Пакет v Анаширование данных сведения о данных Добавить в корзину
61A 60 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH16N06 TO-220C DH16N06 До-220c 60 В 61а Устройство DH16N06 Specification.pdf
80A 68V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH072N07 TO-220C DH072N07 До-220c 68 В 80A Устройство DH072N07 Specification.pdf
N-канальный режим улучшения мощности Mosfet 68a 100V DH140N10D До 252b 100 В 68а DH140N10B & DH140N10D_DATASHEET_V1.0.PDF
200A 30 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH020N03D до 252B DH020N03D До 252b 30 В 200a Устройство DH020N03 (B39) Спецификация.pdf
120A 98V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DHS046N10 до-220C DHS046N10 До-220c 98В 120a Устройство DHS046N10 Specification.pdf
120A 80 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DSG053N08N3 DSG053N08N3 До-220c 80 В 120a DSG053N08N3 & DSE051N08N3_DATASHEET_V1.0.PDF
180A 80 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH029N08 TO-220C DH029N08 До-220c 80 В 180a Устройство DH029N08 Specification.pdf
N-канальный режим режима мощности MOSFET 100A 30V DHD100N03 до 252B DHD100N03 До 252b 30 В 100А Устройство DH100N03 B13 Specification.pdf
110A 85V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DHS055N85 TO-220C DHS055N85 До-220c 85 В 110a Устройство DHS055N85 Specification.pdf
100 В/2 МОм/281A N-MOSFET Toll DSU023N10N3 ПОТЕРИ 100 В 281a DSU023N10N3_DATASHEET_V1.0.PDF
50A 120V N-канальный режим режима Power MOSFET DH150N12 TO-220C DH150N12 До-220c 120 В 50а Устройство DH150N12 Specification.pdf
145A 30 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH028N03D до 252B DH028N03D До 252b 30 В 145а Устройство DH028N03 Specification.pdf
N-канальный режим улучшения мощности MOSFET 120A 98V DHS045N98 TO-220C DHS045N98 До-220c 98В 120a Устройство DHS045N98 Specization-Rev.1.0.pdf
N-канальный режим улучшения мощности MOSFET 180A 80V DH8004 TO-220C DH8004 До-220c 80 В 180a Устройство DH8004 спецификация (2) .pdf
240A 100 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DHS025N10 до-220C DHS025N10 До-220c 100 В 240a Устройство DHS025N10 Specification.pdf
30A 60 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DHZ24 TO-220C DHZ24 До-220c 60 В 30A Устройство DHZ24B31 Specification.pdf
63A 60 В n-канальный режим улучшения режима питания Mosfet DH132N06/DH132N06F/DH132N06E/DH132N06B/DH132N06D
12A 100 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH1K1N10D до 252B DH1K1N10D До 252b 100 В 12A Устройство DH1K1N10 Specification.pdf
120A 100 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH10H037R TO-220C DH10H037R До-220c 100 В 120a Устройство DH10H037R Specification.pdf
25A 100 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DHS250N10D до 252B DHS250N10D До 252b 100 В 25а Устройство+DHS250N10D+Спецификация+Rev1.0.pdf

Продукт видео

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Зарегистрируйтесь в нашей бюллетене
  • Будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу новостную рассылку, чтобы получить обновления прямо в ваш почтовый ящик
    Представлять на рассмотрение
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology By vedong.com