未命名(1)(8) (1)
gate
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Du är här: Hem » Produkter » MOSFET » 12V-300V N MOS
Modell:
Paket:
V:
A:
VALDA PRODUKTRADER:

12V-300V N MOS

Bild Modell Paket V A Datablad Detaljer Förfrågan Lägg i kundvagnen
NPN Epitaxial Silicon Transistor 2SD882 TO-126 2SD882 TO-126 40V 3A 英文版D882技术规格书.pdf
140A 150V N-kanals förbättringsläge Ström MOSFET DSG070N15NA TO-220C DSG070N15NA TO-220C 150V 140A  DSG070N15NA_DataSheet_V1.0.pdf
100A 40V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHS021N04P DFN5X6 DHS021N04P DFN5X6 40V 100A Donghai DHS021N04P Datablad V3.0.pdf
90A 80V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHD80N08 TO-252B DHD80N08 TO-252B 80V 90A Enhet DHD80N08 Specifikation.pdf
120A 80V N-kanals förbättringsläge Ström MOSFET DSG053N08N3 DSG053N08N3 TO-220C 80V 120A DSG053N08N3&DSE051N08N3_Datasheet_V1.0.pdf
25A 100V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHS250N10D TO-252B DHS250N10D TO-252B 100V 25A Enhet+DHS250N10D+Specifikation+Rev1.0.pdf
130A 40V N-kanals förbättringsläge Ström MOSFET DH025N04D TO-252B DH025N04D TO-252B 40V 130A Enhet DH025N04 Specifikation.pdf
N-kanals förbättringsläge Effekt MOSFET 100A 68V DH060N07B TO-251B DH060N07B TO-251B 68V 100A Enhet DH060N07D Specifikation.pdf
63A 60V N-kanals Enhancement Mode Power MOSFET DH132N06/DH132N06F/ DH132N06E/DH132N06B/DH132N06D
N-kanals förbättringsläge Ström MOSFET 120A 85V DHS045N88 TO-220C DHS045N88 TO-220C 85V 120A Enhet DHS045N88 Specifikation-Rev.1.0.pdf
120A 100V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DH10H037R TO-220C DH10H037R TO-220C 100V 120A Enhet DH10H037R Specifikation.pdf
120A 98V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHS046N10 TO-220C DHS046N10 TO-220C 98V 120A Enhet DHS046N10 Specifikation.pdf
100A 40V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHS008N04P DFN5x6 DHS008N04P DFN5X6 40V 100A DHS008N04P_Datablad_V1.0.pdf
180A 60V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHS025N06E TO-263 DHS025N06E TO-263 60V 180A  DHS025N06&DHS025N06E_DataSheet_V2.0.pdf
112A 68V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DH100N06 TO-220C DH100N06 TO-220C 68V 112A DH100N06_Datablad_V3.0.pdf
N-kanals förbättringsläge Effekt MOSFET 180A 80V DH8004 TO-220C DH8004 TO-220C 80V 180A Enhet DH8004 Specifikation (2).pdf
61A 60V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DH16N06 TO-220C DH16N06 TO-220C 60V 61A Enhet DH16N06 Specification.pdf
240A 100V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHS025N10 TO-220C DHS025N10 TO-220C 100V 240A Enhet DHS025N10 Specification.pdf
19A 80V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DH300N08D TO-252B DH300N08D TO-252B 80V 19A Enhet DH300N08 Specifikation.pdf
30A 60V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHZ24 TO-220C DHZ24 TO-220C 60V 30A Enhet DHZ24B31 Specification.pdf

Produktvideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Anmäl dig till vårt nyhetsbrev
  • gör dig redo för framtiden
    registrera dig för vårt nyhetsbrev för att få uppdateringar direkt i din inkorg
    Överlämna
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com