未命名(1)(8) (1)
gate
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Du är här: Hem » Produkter » MOSFET » 12V-300V N MOS
Modell:
Paket:
V:
A:
VALDA PRODUKTRADER:

12V-300V N MOS

Bild Modell Paket V A Datablad Detaljer Förfrågan Lägg i kundvagnen
80A 68V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DH072N07D TO-252B DH072N07D TO-252B 68V 80A Enhet DH072N07 Specifikation.pdf
96A 100V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DFN5X6 DSP051N10N DFN5*6-8 100V 96A Enhet DSP051N10N Specifikation Rev.1.0.pdf
80A 60V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHS065N06P DFN5X6 DHS065N06P
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSG108N20NA TO-220C DSG108N20NA TO-220C 200V 110A Donghai_DSG108N20NA_Datablad_V1.0.pdf
120A 90V N-kanals förbättringsläge Ström MOSFET DH90N055R TO-220C DH90N055R TO-220C 90V 120A Enhet DH90N055R Specifikation.pdf
112A 85V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHS043N85P DFN5X6 DHS043N85P DFN5*6 85V 112A Enhet DHS043N85P Specifikation-Rev.1.0.pdf
108A 85V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHS042N85P DFN5*6-8 DHS042N85P DFN5*6-8 85V 108A Donghai_DHS042N85P_Datablad_v1.0.pdf
100V/5,2mΩ/95A N-MOSFET DSP070N10L3A DFN5X6 DSP070N10L3A DFN5X6 100V 95A Donghai_DSP070N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
220A 40V N-kanals förbättringsläge Ström MOSFET DTE025N04NA TO-263 DTE025N04NA TO-263 40V 220A Enhet DTE025N04NA&DTG025N04NA Specifikation Rev.1.0.pdf
100A 30V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHP150N03 DFN5X6 DHP150N03 DFN5X6 30V 100A Enhet DHP150N03 Specifikation(1).pdf
120A 98V N-kanals förbättringsläge Ström MOSFET DH90N045R TO-220C DH90N045R TO-220C 98V 120A Enhet DH90N045RSM2 Specifikation.pdf
N-kanals förbättringsläge Ström MOSFET 150A 150V DSG059N15NA TO-220C DSG059N15NA TO-220C 150V 150A Enhet DSG059N15NA Specifikation.pdf
120A 85V N-kanals förbättringsläge Ström MOSFET DSG048N08N3 TO-220C DSG048N08N3 TO-220C 85V 125A Enhet+DSG048N08N3+Specifikation+Rev.1.0.pdf
100A 30V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K
100V/15mΩ/50A N-MOSFET DSD190N10L3 TO-252B DSD190N10L3 TO-252B 100V 50A Donghai_DSD190N10L3&DSB190N10L3_Datasheet_V1.0.pdf
18A 200V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET D18N20 TO-252B D18N20 TO-252B 200V 18A Enhet D18N20 Specifikation Rev.1.0.pdf
N-kanals förbättringsläge Effekt MOSFET 150A 150V DHS042N15 DHS042N15 TO-220C 150V 150A Donghai_DHS042N15&DHS042N15E_Datablad_V2.0 (1).pdf
9A 200V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET D630 TO-252B D630 TO-252B 200V 9A Enhet 630 Specification.pdf
160A 40V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET D110N04 TO-252B D110N04 TO-252B 40V 160A Enhet 110N04 Specifikation.pdf
90A 30V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHD90N03 TO-252B DHD90N03 TO-252B 30V 90A Enhet DH90N03 B17 Specifikation.pdf

Produktvideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Anmäl dig till vårt nyhetsbrev
  • gör dig redo för framtiden
    registrera dig för vårt nyhetsbrev för att få uppdateringar direkt i din inkorg
    Överlämna
Copyright © 2023​​​​​​​Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com