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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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12V-300V NMOS

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MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 25 A 100 V D25N10 TO-252B D25N10 TO-252B 100 V 25A Specifiche del dispositivo 25N10.pdf
MOSFET di potenza DHS021N04D TO-252B in modalità potenziamento canale N da 120 A 40 V DHS021N04D TO-252B 40 V 120A Donghai+DHS021N04D+Scheda dati+V3.0.pdf
85 V/0,9 mΩ/360 A N-MOSFET DSU011N08N3A PEDAGGIO DSU011N08N3A PEDAGGIO 85 V 360A DSU011N08N3A_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 50 A 120 V DH150N12 TO-220C DH150N12 TO-220C 120 V 50A Specifiche del dispositivo DH150N12.pdf
Pacchetto PEDAGGIO DSU007N04NA 40 V/0,5 mΩ/360AN-MOSFET DSU007N04NA PEDAGGIO 40 V 360A DSU007N04NA_Datasheet_V1.0.pdf
DSE043N14N TO-263 DSE043N14N TO-263 135 V 180A DSE043N14N&DSG045N14N_DataSheet_V3.0.pdf
DSG031N10N3TO-220C DSG031N10N3
PACCHETTO MOSFET di potenza DSP018N04LA DSP018N04LA modalità potenziamento canale N da 100 A 40 V DSP018N04LA DFN5X6 40 V 100A  DSP018N04LA _Scheda tecnica_V1.0.pdf
MOSFET di potenza DSG045N14N TO-220 in modalità potenziamento canale N da 180 A 135 V DSG045N14N TO-220C 135 V 180A DSE043N14N&DSG045N14N_DataSheet_V3.0.pdf
DSU024N10N3A Pacchetto PEDAGGIO DSU024N10N3A PEDAGGIO 100 V 272A DSU024N10N3A_Datasheet_V1.0.pdf
Pacchetto TOLL MOSFET di potenza DH012N03U con modalità di potenziamento a canale N da 235 A 30 V DH012N03U PEDAGGIO 30 V 235A Dispositivo+DH012N03U+Specifica+V2.0.pdf
MOSFET N 100 V 140 A DSG054N10N3 TO-220C DSG054N10N3 TO-220C 100 V 140A DSG054N10N3&DSE054N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 105 A 40 V DH025N04P DFN5X6 DH025N04P DFN5*6-8 40 V 130A Dispositivo DH025N04 Specifiche.pdf
MOSFET N da 80 V/3,4 mΩ/100 A DSP037N08N3 DFN5X6 DSP037N08N3 DFN5*6-8 80 V 100A DSP037N08N3_Datasheet_V1.0.pdf
DSE022N10N3 TO-263 DSE022N10N3
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 60 A 68 V DH50N06 TO-220C DH50N06 TO-220C 68V 60A Specifiche del dispositivo DH50N06FZC.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 50 A 150 V DH50N15 TO-220C DH50N15 TO-220C 150 V 50A Specifiche del dispositivo DH50N15.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 170 A 85 V DSP032N08NA DFN5X6 DSP032N08NA DFN5X6 85 V 170A DSP032N08NA_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET N 100 V/1,7 mΩ/240 A DSG024N10N3 TO-220C DSG024N10N3 TO-220C 100 V 240A DSG024N10N3&DSE022N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
Transistor epitassiale al silicio NPN 2SD882 TO-126 2SD882 TO-126 40 V 3A 英文版D882技术规格书.pdf

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