ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ви тут: додому » Продукти » MOSFET » 12V-300V N MOS
модель:
пакет:
V:
A:
ВИБРАНІ ПРОДУКЦІЙНІ ЛІНІЇ:

12V-300V N MOS

Зображення Модель Пакет V A Таблиця даних Деталі Запит Додати до кошика
310A 20V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH009N02 TO-220C DH009N02 ТО-220С 20В 310A Специфікація пристрою DH009N02.pdf
47A 100V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH135N10P DFN5X6 DH135N10P DFN5X6 100В 47A Специфікація пристрою DH135N10P.pdf
25A 100V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 25N10 TO-220C DH025N03 ТО-220С 30В 150А Специфікація пристрою DH025N03.pdf
40A 30V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHD80N03 TO-252B DHD80N03 ТО-252Б 30В 40А DHD80N03_Datasheet_V3.0.pdf
120A 30V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH025N03P DFN5*6 DH025N03P DFN5X6 30В 120А Специфікація пристрою DH025N03P(1)(1).pdf
50A 120V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH150N12D TO-252B DH150N12D ТО-252Б 120В 50А Специфікація пристрою DH150N12.pdf
60A 30V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH081N03D TO-252B DH081N03D ТО-252Б 30В 60А Специфікація пристрою DH081N03.pdf
320A 30V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH012N03 TO-220C DH012N03 ТО-220С 30В 320А Специфікація пристрою DH012N03.pdf
60A 68V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHF50N06 TO-220F DHF50N06 ТО-220Ф 68В 60А Специфікація пристрою 50N06B34.pdf
 N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 180A 40V DHS020N04D TO-252B DHS020N04D ТО-252Б 40В 180А Специфікація пристрою DHS020N04D.pdf
105A 68V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS055N07E TO-263 DHS055N07E ТО-263 68В 105А Donghai+DHS055N07&DHS055N07E+Таблиця даних+V2.0 .pdf
220A 20V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH009N02P DFN5*6-8 DH009N02P ДФН5*6-8 20В 220А Специфікація пристрою DH009N02P.pdf
35A 120V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DSD270N12N3 TO-252B DSD270N12N3 ТО-252Б 120В 35А Пристрій+DSD270N12N3+Специфікація+Ред.1.0.pdf
205A 85V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS025N88 TO-263 DHS025N88E ТО-263 85В 205A Специфікація пристрою DHS025N88.pdf
320A 30V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH012N03D TO-252B DH012N03D ТО-252Б 30В 320А Специфікація пристрою DH012N03.pdf
320A 20V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH009N02U
80A 40V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH065N04D TO-252B DH065N04D ТО-252Б 40В 80А Специфікація пристрою DH065N04.pdf
200 В/11 мОм/110 А N-MOSFET DSN108N20N TO-3PN ДСН108Н20Н ТО-3ПН 200В 110А DSN108N20N_Datasheet_V1.0.pdf
180A 85V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DSD040N08N3A TO-252B DSD040N08N3A ТО-252Б 85В 180А Пристрій+DSD040N08N3A+Специфікація+Ред.1.0.pdf
175A 80V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS035N88 TO-220C DHS035N88 ТО-220С 80В 175А DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf

Відео продукту

  • Підпишіться на нашу розсилку
  • готуйтеся до майбутнього,
    підпишіться на нашу розсилку, щоб отримувати оновлення прямо у свою поштову скриньку