ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ви тут: додому » Продукти » MOSFET » 12V-300V N MOS
модель:
пакет:
V:
A:
ВИБРАНІ ПРОДУКЦІЙНІ ЛІНІЇ:

12V-300V N MOS

Зображення Модель Пакет V A Таблиця даних Деталі Запит Додати до кошика
100A 30V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH033N03D TO-252B DH033N03D ТО-252Б 30В 100А Специфікація пристрою DH033N03(1).pdf
96A 100V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DFN5X6 DSP051N10N ДФН5*6-8 100В 96A Специфікація пристрою DSP051N10N Rev.1.0.pdf
80A 60V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS065N06P DFN5X6 DHS065N06P
112A 85V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DHS043N85P DFN5X6 DHS043N85P ДФН5*6 85В 112А Пристрій DHS043N85P Specification-Rev.1.0.pdf
200 В/11 мОм/110 А N-MOSFET DSG108N20NA TO-220C DSG108N20NA ДО-220С 200В 110А Donghai_DSG108N20NA_Datasheet_V1.0.pdf
120A 90V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH90N055R TO-220C DH90N055R ДО-220С 90В 120А Специфікація пристрою DH90N055R.pdf
100 В/5,2 мОм/95 A N-MOSFET DSP070N10L3A DFN5X6 DSP070N10L3A DFN5X6 100В 95А Donghai_DSP070N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
108A 85V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DHS042N85P DFN5*6-8 DHS042N85P ДФН5*6-8 85В 108A Donghai_DHS042N85P_Datasheet_v1.0.pdf
220A 40V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DTE025N04NA TO-263 DTE025N04NA ТО-263 40В 220А Специфікація пристрою DTE025N04NA&DTG025N04NA Rev.1.0.pdf
100A 30V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHP150N03 DFN5X6 DHP150N03 DFN5X6 30В 100А Специфікація пристрою DHP150N03(1).pdf
120A 98V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH90N045R TO-220C DH90N045R ДО-220С 98В 120А Специфікація пристрою DH90N045RSM2.pdf
100A 30V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K
 N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 150A 150V DSG059N15NA TO-220C DSG059N15NA ДО-220С 150В 150А Специфікація пристрою DSG059N15NA.pdf
120A 85V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DSG048N08N3 TO-220C DSG048N08N3 ДО-220С 85В 125А Пристрій+DSG048N08N3+Специфікація+Ред.1.0.pdf
18A 200V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET D18N20 TO-252B D18N20 ТО-252Б 200В 18А Специфікація пристрою D18N20 Rev.1.0.pdf
100 В/15 мОм/50 А N-MOSFET DSD190N10L3 TO-252B DSD190N10L3 ТО-252Б 100В 50А Donghai_DSD190N10L3&DSB190N10L3_Datasheet_V1.0.pdf
9A 200V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET D630 TO-252B D630 ТО-252Б 200В Специфікація пристрою 630.pdf
 N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 150A 150V DHS042N15 DHS042N15 ДО-220С 150В 150А Donghai_DHS042N15&DHS042N15E_Datasheet_V2.0 (1).pdf
160A 40V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET D110N04 TO-252B D110N04 ТО-252Б 40В 160А Специфікація пристрою 110N04.pdf
65A 30V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH033N03R DFN3X3 DH033N03R DFN3X3 30В 65А Специфікація пристрою DH033N03R.pdf

Відео продукту

  • Підпишіться на нашу розсилку
  • готуйтеся до майбутнього,
    підпишіться на нашу розсилку, щоб отримувати оновлення прямо у свою поштову скриньку