ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ви тут: додому » Продукти » MOSFET » 12V-300V N MOS
модель:
пакет:
V:
A:
ВИБРАНІ ПРОДУКЦІЙНІ ЛІНІЇ:

12V-300V N MOS

Зображення Модель Пакет V A Таблиця даних Деталі Запит Додати до кошика
170A 100V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DSE028N10N3 TO-263 DSE028N10N3 ТО-263 100В 170А Donghai_DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
105A 68V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS055N07E TO-263 DHS055N07E ТО-263 68В 105А Donghai+DHS055N07&DHS055N07E+Таблиця даних+V2.0 .pdf
35A 120V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DSD270N12N3 TO-252B DSD270N12N3 ТО-252Б 120В 35А Пристрій+DSD270N12N3+Специфікація+Ред.1.0.pdf
320A 30V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH012N03D TO-252B DH012N03D ТО-252Б 30В 320А Специфікація пристрою DH012N03.pdf
80A 60V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DATD063N06N TO-252B DATD063N06N ТО-252Б 60В 80А Пристрій+DATD063N06N+Специфікація Rev.1.0.pdf
60A 20V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH048N02B/DH048N02D
90A 40V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH045N04 TO-220C DH045N04 ТО-220С 40В 90А Специфікація пристрою DH045N04.pdf
135 В/3,3 мОм/225 А N-MOSFET DSU035N14N3 Платний пакет DSU035N14N3 ПЛАТА 135В 225A Donghai_DSU035N14N3_Datasheet_V2.0.pdf
90A 40V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH045N04D TO-252B DH045N04D ТО-252Б 100В 50А Специфікація пристрою DH045N04.pdf
120 В/12 мОм/70 А N-MOSFET DSG140N12N3 TO-220C DSG140N12N3 120В 70А Donghai_DSG140N12N3&DSE140N12N3_Datasheet_V1.0.pdf
21A 650V N-канальний Super Junction Power MOSFET DHSJ21N65W TO-247 DHSJ21N65W ТО-247 650В 21А Donghai_DHSJ21N65W_Datesheet_V1.0.pdf
100A 60V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH066N06 TO-220C DH066N06 ТО-220С 60В 100А Donghai_DH066N06D_Datasheet_V2.0.pdf
160A 30V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH020N03P 5x6-8 DH020N03P DFN5X6 30В 160А Специфікація пристрою DH020N03P.pdf
120A 40V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH033N04 TO-220C DH033N04 ТО-220С 40В 120А Специфікація пристрою DH033N04.pdf
 N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 145A 60V DH045N06D TO-252B DH045N06 ТО-220С 60В 145А Специфікація пристрою DH045N06.pdf
180A 40V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS021N04 TO-220C DHS021N04 ТО-220С 40В 180А Donghai+DHS021N04&DHS021N04E+DataSheet+V3.0.pdf
15A 100V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH850N10B TO-251B DH850N10B ТО-251Б 100В 15А Специфікація пристрою DH850N10.pdf
200 В/11 мОм/110 А N-MOSFET DSE108N20NA TO-263 DSE108N20NA ТО-263 200В 110А Donghai_DSE108N20NA_Datasheet_V1.0.pdf
DSG041N08NA TO-220C DSG041N08NA ТО-220С 85В 180А Пристрій+DSG041N08NA+Специфікація+Ред.1.0.pdf
25A 100V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET D25N10 TO-252B D25N10 ТО-252Б 100В 25А Специфікація пристрою 25N10.pdf

Відео продукту

  • Підпишіться на нашу розсилку
  • готуйтеся до майбутнього,
    підпишіться на нашу розсилку, щоб отримувати оновлення прямо у свою поштову скриньку