未命名(1)(8) (1)
porta
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ju jeni këtu: Shtëpi » Produktet » MOSFET » 12V-300V N MOS
Modeli:
Paketa:
V:
A:
LINJA E PRODUKTIT E ZGJEDHUR:

12V-300V N MOS

i imazhit Modeli Paketa V A Detajet e fletës së të dhënave Kërkim Shtoni në shportë
80A 68V N-kanal i përmirësimit MOSFET me fuqi MOSFET DH072N07D TO-252B DH072N07D TO-252B 68 V 80 A Specifikimi i pajisjes DH072N07.pdf
96A 100V 100V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DFN5X6 DSP051N10N DFN5*6-8 100 V 96A Specifikimi i pajisjes DSP051N10N Rev.1.0.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N 80A 60 V Fuqia MOSFET DHS065N06P DFN5X6 DHS065N06P
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSG108N20NA TO-220C DSG108N20NA TO-220C 200 V 110A Donghai_DSG108N20NA_Fletë e të dhënave_V1.0.pdf
120A 90V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH90N055R TO-220C DH90N055R TO-220C 90 V 120A Specifikimi i pajisjes DH90N055R.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N 112A 85 V Fuqia MOSFET DHS043N85P DFN5X6 DHS043N85P DFN5*6 85 V 112A Specifikimi i pajisjes DHS043N85P-Rev.1.0.pdf
108A 85 V-kanal N-Rritjes Modaliteti i fuqisë MOSFET DHS042N85P DFN5*6-8 DHS042N85P DFN5*6-8 85 V 108A Donghai_DHS042N85P_Sheet_v1.0.pdf
100V/5,2mΩ/95A N-MOSFET DSP070N10L3A DFN5X6 DSP070N10L3A DFN5X6 100 V 95A Donghai_DSP070N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N 220A 40 V Fuqia MOSFET DTE025N04NA TO-263 DTE025N04NA TO-263 40 V 220A Specifikimi i pajisjes DTE025N04NA&DTG025N04NA Rev.1.0.pdf
100A 30V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DHP150N03 DFN5X6 DHP150N03 DFN5X6 30 V 100A Specifikimi i pajisjes DHP150N03(1).pdf
120A 98V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH90N045R TO-220C DH90N045R TO-220C 98 V 120A Specifikimi i pajisjes DH90N045RSM2.pdf
100A 30V N-kanal i përmirësimit MOSFET me fuqi 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K
Modaliteti i përmirësimit me kanal N Fuqia MOSFET 150A 150V DSG059N15NA TO-220C DSG059N15NA TO-220C 150 V 150 A Specifikimi i pajisjes DSG059N15NA.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N 120A 85 V Fuqia MOSFET DSG048N08N3 TO-220C DSG048N08N3 TO-220C 85 V 125A Device+DSG048N08N3+Specification+Rev.1.0.pdf
18A 200V 200V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET D18N20 TO-252B D18N20 TO-252B 200 V 18A Specifikimi i pajisjes D18N20 Rev.1.0.pdf
100V/15mΩ/50A N-MOSFET DSD190N10L3 TO-252B DSD190N10L3 TO-252B 100 V 50 A Donghai_DSD190N10L3&DSB190N10L3_Datasheet_V1.0.pdf
9A 200V 200V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET D630 TO-252B D630 TO-252B 200 V 9A Specifikimi i pajisjes 630.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N Fuqia MOSFET 150A 150V DHS042N15 DHS042N15 TO-220C 150 V 150 A Donghai_DHS042N15&DHS042N15E_Datasheet_V2.0 (1).pdf
160A 40V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET D110N04 TO-252B D110N04 TO-252B 40 V 160 A Specifikimi i pajisjes 110N04.pdf
90A 30V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DHD90N03 TO-252B DHD90N03 TO-252B 30 V 90 A Specifikimi i pajisjes DH90N03 B17.pdf

Video e produktit

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Regjistrohu për buletinin tonë
  • bëhuni gati për e ardhshëm në buletinin tonë për të marrë përditësime direkt në kutinë tuaj hyrëse
    regjistrimin
    Paraqisni
E drejta e autorit © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Teknologjia nga leadong.com