未命名(1)(8) (1)
porta
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ju jeni këtu: Shtëpi » Produktet » MOSFET » 12V-300V N MOS
Modeli:
Paketa:
V:
A:
LINJA E PRODUKTIT E ZGJEDHUR:

12V-300V N MOS

i imazhit Modeli Paketa V A Detajet e fletës së të dhënave Kërkim Shtoni në shportë
310A 20V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH009N02 TO-220C DH009N02 TO-220C 20 V 310A Specifikimi i pajisjes DH009N02.pdf
47A 100V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH135N10P DFN5X6 DH135N10P DFN5X6 100 V 47A Specifikimi i pajisjes DH135N10P.pdf
25A 100V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET 25N10 TO-220C DH025N03 TO-220C 30 V 150 A Specifikimi i pajisjes DH025N03.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N 40A me fuqi MOSFET DHD80N03 TO-252B DHD80N03 TO-252B 30 V 40 A DHD80N03_Fletë e të dhënave_V3.0.pdf
120A 30V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH025N03P DFN5*6 DH025N03P DFN5X6 30 V 120A Specifikimi i pajisjes DH025N03P(1)(1).pdf
50A 120V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH150N12D TO-252B DH150N12D TO-252B 120 V 50 A Specifikimi i pajisjes DH150N12.pdf
60A 30V 30V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH081N03D TO-252B DH081N03D TO-252B 30 V 60 A Specifikimi i pajisjes DH081N03.pdf
320A 30V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH012N03 TO-220C DH012N03 TO-220C 30 V 320A Specifikimi i pajisjes DH012N03.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N Fuqia MOSFET 180A 40V DHS020N04D TO-252B DHS020N04D TO-252B 40 V 180 A Specifikimi i pajisjes DHS020N04D.pdf
60A 68V 68V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DHF50N06 TO-220F DHF50N06 TO-220F 68 V 60 A Specifikimi i pajisjes 50N06B34.pdf
105A 68V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DHS055N07E TO-263 DHS055N07E TO-263 68 V 105A Donghai+DHS055N07&DHS055N07E+Fletë e të dhënave+V2.0 .pdf
35A 120V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DSD270N12N3 TO-252B DSD270N12N3 TO-252B 120 V 35A Pajisje+DSD270N12N3+Specifikim+Rev.1.0.pdf
220A 20V 20V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH009N02P DFN5*6-8 DH009N02P DFN5*6-8 20 V 220A Specifikimi i pajisjes DH009N02P.pdf
205A 85V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DHS025N88 TO-263 DHS025N88E TO-263 85 V 205A Specifikimi i pajisjes DHS025N88.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N 320A me fuqi MOSFET DH012N03D TO-252B DH012N03D TO-252B 30 V 320A Specifikimi i pajisjes DH012N03.pdf
320A 20V 20V MOSFET i fuqisë së modalitetit të përmirësimit të kanalit N DH009N02U
MOSFET me fuqi 80A 40V me kanal N e përmirësimit MOSFET DH065N04D TO-252B DH065N04D TO-252B 40 V 80 A Specifikimi i pajisjes DH065N04.pdf
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSN108N20N TO-3PN DSN108N20N TO-3PN 200 V 110A DSN108N20N_Fletë e të dhënave_V1.0.pdf
175A 80V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DHS035N88 TO-220C DHS035N88 TO-220C 80 V 175A DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N 180A 85V MOSFET me fuqi DSD040N08N3A TO-252B DSD040N08N3A TO-252B 85 V 180 A Pajisje+DSD040N08N3A+Specifikim+Rev.1.0.pdf

Video e produktit

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Regjistrohu për buletinin tonë
  • bëhuni gati për e ardhshëm në buletinin tonë për të marrë përditësime direkt në kutinë tuaj hyrëse
    regjistrimin
    Paraqisni
E drejta e autorit © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Teknologjia nga leadong.com