Tor
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Sie sind hier: Heim » Produkte » MOSFET » 12V-300V N MOS
Modell:
Paket:
V:
A:
AUSGEWÄHLTE PRODUKTLINIEN:

12V-300V N MOS

Bild Modell Paket V A Datenblatt Details Anfrage In den Warenkorb legen
25A 100V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 25N10 TO-220C DH025N03 TO-220C 30V 150A Gerätespezifikation DH025N03.pdf
47 A 100 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH135N10P DFN5X6 DH135N10P DFN5X6 100V 47A Gerätespezifikation DH135N10P.pdf
310 A 20 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH009N02 TO-220C DH009N02 TO-220C 20V 310A Gerätespezifikation DH009N02.pdf
40 A 30 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHD80N03 TO-252B DHD80N03 TO-252B 30V 40A DHD80N03_Datasheet_V3.0.pdf
120 A 30 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH025N03P DFN5*6 DH025N03P DFN5X6 30V 120A Gerätespezifikation DH025N03P(1)(1).pdf
60 A 30 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH081N03D TO-252B DH081N03D TO-252B 30V 60A Gerätespezifikation DH081N03.pdf
50 A 120 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH150N12D TO-252B DH150N12D TO-252B 120V 50A Gerätespezifikation DH150N12.pdf
320 A 30 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH012N03 TO-220C DH012N03 TO-220C 30V 320A Gerätespezifikation DH012N03.pdf
 N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 180 A 40 V DHS020N04D TO-252B DHS020N04D TO-252B 40V 180A Gerätespezifikation DHS020N04D.pdf
60 A 68 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHF50N06 TO-220F DHF50N06 TO-220F 68V 60A Gerätespezifikation 50N06B34.pdf
105 A 68 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS055N07E TO-263 DHS055N07E TO-263 68V 105A Donghai+DHS055N07&DHS055N07E+Datenblatt+V2.0 .pdf
35 A 120 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DSD270N12N3 TO-252B DSD270N12N3 TO-252B 120V 35A Gerät+DSD270N12N3+Spezifikation+Rev.1.0.pdf
220 A 20 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH009N02P DFN5*6-8 DH009N02P DFN5*6-8 20V 220A Gerätespezifikation DH009N02P.pdf
320 A 30 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH012N03D TO-252B DH012N03D TO-252B 30V 320A Gerätespezifikation DH012N03.pdf
320 A 20 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH009N02U
205 A 85 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS025N88 TO-263 DHS025N88E TO-263 85V 205A Gerätespezifikation DHS025N88.pdf
80 A 40 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH065N04D TO-252B DH065N04D TO-252B 40V 80A Gerätespezifikation DH065N04.pdf
200 V/11 mΩ/110 A N-MOSFET DSN108N20N TO-3PN DSN108N20N TO-3PN 200V 110A DSN108N20N_Datasheet_V1.0.pdf
180 A 85 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DSD040N08N3A TO-252B DSD040N08N3A TO-252B 85V 180A Gerät+DSD040N08N3A+Spezifikation+Rev.1.0.pdf
175 A 80 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS035N88 TO-220C DHS035N88 TO-220C 80V 175A DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf

Produktvideo

  • Melden Sie sich für unseren Newsletter an
  • Machen Sie sich bereit für die Zukunft.
    Melden Sie sich für unseren Newsletter an, um Updates direkt in Ihren Posteingang zu erhalten