96A 100V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET DFN5X6

96A 100V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET

1 Beschreibung

In diesem N-Channel-Verbesserungsmodus wurden MOSFETs mit dem fortschrittlichen Splite-Gate-Graben-Technologie-Design ein ausgezeichnetes RDSON und niedrige Gate-Ladung dargestellt. Das entspricht dem ROHS -Standard. 

2 Merkmale 

● schnelles Umschalten

● Niedrig des Widerstands

● Ladung mit niedriger Gate 

● hoher Lawinenstrom 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test 

3 Anwendungen 

● Synchrone Korrektur in SMPs 

● Hartschalter und Hochgeschwindigkeitskreislauf

● Elektrowerkzeuge 

● ups 

● Motorsteuerung