brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » MOSFET » 12V-300V N MOS » 96A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DFN5X6

načítání

Sdílet s:
tlačítko sdílení na facebooku
tlačítko sdílení na Twitteru
tlačítko sdílení linky
tlačítko sdílení wechat
tlačítko sdílení linkedin
tlačítko sdílení na pinterestu
tlačítko sdílení whatsapp
sdílet toto tlačítko sdílení

96A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DFN5X6

96A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
Dostupnost:
Množství:

Výkonový MOSFET 96A 100V N-channel Enhancement Mode


1 Popis

Tyto výkonové mosfety v režimu vylepšení N-kanálů využívaly pokročilý design technologie výkopu splite gate, který poskytoval vynikající Rdson a nízký náboj hradla. Což odpovídá standardu RoHS. 


2 Vlastnosti 

● Rychlé přepínání

● Nízký odpor

● Nízký poplatek za bránu 

● Vysoký lavinový proud 

● Nízké zpětné přenosové kapacity

● 100% jednopulzní lavinový energetický test 

● 100% test ΔVDS 


3 Aplikace 

● Synchronní usměrnění v SMPS 

● Pevné spínání a vysokorychlostní obvod

● Elektrické nářadí 

● UPS 

● Ovládání motoru


VDSS RDS(zapnuto)(TYP) ID
100V 4,9 mΩ 96A


Předchozí: 
Další: 
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky