gate
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
DU ÄR HÄR: Hem » Produkt » Mosfet » 12V-300V N MOS DFN5X6 96A 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

belastning

Dela till:
Facebook -delningsknapp
Twitter -delningsknapp
linjedelningsknapp
WeChat Sharing -knapp
LinkedIn Sharing -knapp
Pinterest Sharing -knapp
whatsapp delningsknapp
Sharethis Sharing -knapp

96A 100V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET DFN5X6

96A 100V N-kanal Förbättringsläge Power MOSFET
Tillgänglighet:
Kvantitet:

96A 100V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET


1 Beskrivning

Denna N-kanalförbättringsläge Power MOSFETS använde avancerad Splite Gate Trench-teknikdesign, gav utmärkt RDSON och låg grindladdning. Som överensstämmer med ROHS -standarden. 


2 funktioner 

● Snabbbrytning

● Låg motstånd

● Låg grindavgift 

● Hög lavinström 

● Låg omvänd överföringskapacitanser

● 100% enkelpuls snöskredsenergitest 

● 100% ΔVDS -test 


3 applikationer 

● Synkron rättelse i SMPS 

● Hård växling och höghastighetskrets

● Strömverktyg 

● UPS 

● Motorstyrning


Vds Rds (on) (typ) Id
100V 4,9mΩ 96a


Tidigare: 
Nästa: 
  • Registrera dig för vårt nyhetsbrev
  • Gör dig redo för den framtida
    registreringen för vårt nyhetsbrev för att få uppdateringar direkt till din inkorg