brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Výrobky » Mosfet » 12v-300 V n MOS » 96a 100V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET DFN5X6

zaťaženie

Zdieľať na:
Tlačidlo zdieľania Facebooku
Tlačidlo zdieľania Twitteru
tlačidlo zdieľania riadkov
Tlačidlo zdieľania WeChat
tlačidlo zdieľania linkedIn
Tlačidlo zdieľania Pinterest
Tlačidlo zdieľania WhatsApp
Tlačidlo zdieľania zdieľania zdieľania

96a 100V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET DFN5X6

96A 100V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET
dostupnosť:
Množstvo:

96a 100V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET


1 popis

Tento režim vylepšenia n-kanála Power MOSFETS používal pokročilý dizajn technológie Trench Trench Technology, poskytol vynikajúci poplatok RDSON a nízky brán. Čo je v súlade so štandardom ROHS. 


2 funkcie 

● Rýchle prepínanie

● Nízky odpor

● Nízka brána 

● Vysoký lavínový prúd 

● Nízke kapacity prenosu spätného prenosu

● 100% Energia Energy Energy Energy Test 

● Test 100% ΔVDS 


3 aplikácie 

● Synchrónna rektifikácia v SMP 

● Tvrdé prepínanie a vysokorýchlostný obvod

● Elektrické náradie 

● UPS 

● Ovládanie motora


VDSS RDS (on) (typ) Id
100 V 4,9 mΩ 96a


Predchádzajúce: 
Ďalej: 
  • Prihláste sa do nášho bulletinu
  • Pripravte sa na budúcnosť
    Prihláste sa do nášho bulletinu, aby ste získali aktualizácie priamo do svojej doručenej pošty