80A 60V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET DHS065N06P DFN5X6

80A 60V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET

1 Beschreibung

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Splite-Gate-Graben-Technologie-Design und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 

2 Merkmale 

● Niedrig des Widerstands 

● Ladung mit niedriger Gate 

● schnelles Umschalten 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test 

3 Anwendungen 

Ur 

● Elektrowerkzeuge 

● UPS (uninterpulierbare Stromversorgungen) 

● Motorsteuerung 

● Batteriemanagement

VDSS	RDS (ON) (Typ)	AUSWEIS	Paket
60 V	5,0 mΩ	80a	DFN5X6