pintu gerbang
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Anda di sini: Rumah » Produk » » MOSFET » 12V-300V N MOS » 80A 60V N-Channel Mode Enhancement Power MOSFET DHS065N06P DFN5X6

Memuatkan

Kongsi ke:
butang perkongsian facebook
butang perkongsian twitter
butang perkongsian talian
butang perkongsian WeChat
butang perkongsian LinkedIn
butang perkongsian Pinterest
butang perkongsian WhatsApp
butang perkongsian sharethis

80A 60V N-Channel Mode Enhancement Power MOSFET DHS065N06P DFN5X6

80A 60V N-Channel Mode Enhancement Power MOSFET
Ketersediaan:
Kuantiti:
  • DHS065N06P

  • WXDH

80A 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET


1 Penerangan


MOSFET Kuasa MOSFET MODE N-Channel ini digunakan dengan reka bentuk teknologi parit pintu gerbang maju, dengan syarat RDSON yang sangat baik dan caj pintu rendah. Yang sesuai dengan standard ROHS. 


2 ciri 

● Rendah terhadap rintangan 

● Caj pintu rendah rendah 

● Pertukaran cepat 

● Kapasit pemindahan terbalik yang rendah

● Ujian tenaga Avalanche Pulse Single 100% 

● Ujian 100% Δvds 


3 aplikasi 

● Pembetulan segerak untuk pengecas cepat AC/DC 

● Alat kuasa 

● UPS (bekalan kuasa yang tidak dapat dipertimbangkan) 

● Kawalan motor 

● Pengurusan bateri


VDSS Rds (on) (typ) Id Pakej
60v 5.0mΩ 80a DFN5X6


Sebelumnya: 
Seterusnya: 
  • Daftar untuk surat berita kami
  • Bersedia untuk
    mendaftar masa depan untuk buletin kami untuk mendapatkan kemas kini terus ke peti masuk anda