MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 80 A 60 V
1 Descrizione
Questi mosfet di potenza in modalità di potenziamento a canale N utilizzavano un design avanzato con tecnologia splite gate trench, fornendo un eccellente Rdson e una bassa carica di gate. Che è conforme allo standard RoHS.
2 Caratteristiche
● Bassa resistenza
● Carica di gate bassa
● Commutazione rapida
● Basse capacità di trasferimento inverso
● Test energetico da valanga a impulso singolo al 100%.
● Test ΔVDS al 100%.
3 applicazioni
● Rettifica sincrona per caricabatterie rapido AC/DC
● Utensili elettrici
● UPS (gruppi di continuità)
● Controllo del motore
● Gestione della batteria
| VDSS |
RDS(acceso)(TIPO) |
ID |
Pacchetto |
| 60 V |
5,0 mΩ |
80A |
DFN5X6 |