դարպաս
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd

բեռնում

Կիսվել՝
Ֆեյսբուքի փոխանակման կոճակը
Twitter-ի համօգտագործման կոճակը
տողերի փոխանակման կոճակ
wechat-ի փոխանակման կոճակը
linkedin-ի համօգտագործման կոճակը
pinterest-ի համօգտագործման կոճակը
whatsapp-ի համօգտագործման կոճակը
կիսել այս համօգտագործման կոճակը

80A 60V N-ալիքի բարելավման ռեժիմ Power MOSFET DHS065N06P DFN5X6

80A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
Առկայություն՝
Քանակ.
  • DHS065N06P

  • WXDH

80A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET


1 Նկարագրություն


Այս N-ալիքի ընդլայնման ռեժիմի հոսանքի մոսֆետները օգտագործում էին առաջադեմ ճեղքված դարպասի խրամուղիների տեխնոլոգիայի նախագծում՝ ապահովելով գերազանց Rdson և ցածր դարպասի լիցքավորում: Որը համապատասխանում է RoHS ստանդարտին: 


2 Հատկանիշներ 

● Ցածր դիմադրություն 

● Դարպասի ցածր լիցքավորում 

● Արագ միացում 

● Հակադարձ փոխանցման ցածր հզորություններ

● 100% մեկ իմպուլսային ավալանշ էներգիայի փորձարկում 

● 100% ΔVDS թեստ 


3 Դիմումներ 

● Սինխրոն ուղղում AC/DC արագ լիցքավորիչի համար 

● Էլեկտրական գործիքներ 

● UPS (Անխափան սնուցման սարքեր) 

● Շարժիչի կառավարում 

● Մարտկոցի կառավարում


VDSS RDS(միացված)(TYP) ID Փաթեթ
60 Վ 5.0mΩ 80 Ա DFN5X6


Նախորդը: 
Հաջորդը: 
  • Գրանցվեք մեր տեղեկագրին
  • պատրաստվեք ապագայի համար,
    գրանցվեք մեր տեղեկագրում՝ թարմացումներ անմիջապես ձեր մուտքի արկղում ստանալու համար