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120A 85V N-Kanalverbesserungsmodus MOSFET DSG048N08N3 TO-220C


In diesem N-Channel-Verbesserungsmodus wurden MOSFETs mit dem fortschrittlichen Splite-Gate-Graben-Technologie-Design ein ausgezeichnetes RDSON und niedrige Gate-Ladung dargestellt. Das entspricht dem ROHS -Standard.
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120A 85V N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET


1 Beschreibung 


In diesem N-Channel-Verbesserungsmodus wurden MOSFETs mit dem fortschrittlichen Splite-Gate-Graben-Technologie-Design ein ausgezeichnetes RDSON und niedrige Gate-Ladung dargestellt. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale 

● schnelles Umschalten

● Niedrig des Widerstands 

● Ladung mit niedriger Gate 

● hoher Lawinenstrom

● Niedrige Umkehrtransferkapazität 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test 


3 Anwendungen 

● Synchrone Korrektur in SMPs

● Hartschalter und Hochgeschwindigkeitskreislauf

● Elektrowerkzeuge 

● ups 

● Motorsteuerung


VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS
85 V 4,1 mΩ 120a                        


herunterladen Gerät+DSG048N08N3+Spezifikation+Rev.1.0.pdf

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